Après le processus de génération actuelle de 7 nm pour la fabrication de chipsets, TSMC investit dans un processus de fabrication de 5 nm et la majorité de sa production est réservée par Apple pour le SoC A14 qui animera la future série iPhone 12.

Pour concurrencer ce procédé, Samsung aurait réussi à faire son premier développement majeur vers le procédé 3 nm, le géant sud-coréen visant à devenir le premier fabricant mondial de semi-conducteurs d'ici 2030. La société devait démarrer la production de masse du chipset 3 nm à partir de 2021, mais il semble que Samsung soit maintenant contraint de retarder le lancement de la fabrication du nouveau processus jusqu'en 2022 en raison des perturbations causées par le coronavirus (COVID-19).

Un rapport provenant de DigiTimes mentionne que le coronavirus a entravé la capacité de Samsung à réaliser l'installation prévue de l'équipement pour les nouvelles lignes de production. On dit également que la production de masse du 3 nm TSMC devrait toujours commencer en 2022.

Le travail de Samsung pour le processus 3 nm est basé sur la technologie Gate All Around (GAAFET) plutôt que FinFET. Il réduit apparemment la taille totale du silicium de 35% tout en utilisant environ 50% d'énergie en moins. Il permet également la même consommation d'énergie et une augmentation de 33% des performances par rapport au processus FinFET de 5 nm.

La conception GAAFET diffère de la conception FinFET en ce qu'elle est construite autour de portes sur quatre côtés du canal, ce qui garantit une perte de puissance réduite et donc un meilleur contrôle du canal - une étape fondamentale lors de la réduction du nœud du processus.